一秒记住【新笔趣阁】 biquge3456.com，更新快，无弹窗！
方便还现成，根本就不用费心，就是价格比较昂贵。
现在要降低成本，就不得不考虑“现代技术+基础功能”，这种得费脑子且不伦不类的方式了。
最开始她计算的是采用真空管或早期晶体管，高性能模拟器件，功耗大。成本大约在1500到7500元之间。
这玩意确实太贵了。
夏黎想了想，在原本的稿纸上涂涂改改，采用CMOS图像传感器技术，也就是后世的互补金属氧化物半导体技术，将感光、数模转换等全部集成在单颗芯片上，取代笨重的摄像管和复杂电路，不但比之前的技术好，还比之前的技术便宜。
用这种技术可以直接把成本降到40块钱。
从1500元到7500元，直降到40元的成本，这绝对是质的飞跃。
不过，以现在华夏的技术，想要造出来这东西，可能倒是有那么一丁点的可能，但是硬件的设备还有些问题。
首先就是华夏没有超净间。CMOS对灰尘的容忍度比双极性更苛刻。一颗尘粒落在栅氧生长区，就等于一个针孔漏电，等于芯片废掉。
这意味着哪怕流程设计对了，良品率也是灾难级的。
不是“做不出”，是“做一百颗坏九十九颗”。
成本简直高到飞起。
第二是芯片欠缺问题。
目前国内倒是有光刻机，不过就那么一台可以用的光刻机，不可能拿来给他们用来做好几十万个芯片，人家华科医院那边的科研人员还得干别的呢。
而且就冲他们那宝贝光刻机的模样，肯定怕他们把东西用坏，不肯让他们做几十万个芯片。
第三是硅材料的纯度不够，CMOS栅氧厚度只有几百埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。
国产直拉CZ硅当前纯度勉强够双极性/NMOS实验，用于高质量CMOS需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶，根本拉不出合格的大直径单晶棒。
第四点是：CMOS需要精确控制p-well掺杂剖面。理想做法是用离子注入机，能量和剂量可控。
华夏有少量仿制和进口的离子注入机，但有巴统协议在，想也知道，外国人给华夏的都是落后的产品。
束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量产。
靠传统热扩散凑合的话，横向扩散不可控，直接导致沟道长度一致性崩掉，最终致使Vt分布宽得像撒胡椒面。
画面糊成那样还监控什么？一点意义都没有。
这是目前能降低成本的最大头，也是不想花钱就必须克服的地方。
夏黎又在图纸上圈了另外一个位置，将原本的耗材一栏，改写成SD卡或硬盘。
目前记录影像的方案是，使用一台昂贵的时延录像机和大量耗材录像带。
可这种方案后期可能不用消耗太大，但首年的消耗大约是5.6万元。
而他们现在恰恰最缺的就是第一年的钱。
夏黎想了想，在后面标注：数字压缩与闪存技术用H.264等算法将视频数据量压缩上百倍，存储在指甲盖大小的廉价SD卡或硬盘上。
能做出来的前提下，这种成本大约只有40元左右。
听着挺好的，五六万元直降到40块钱，还是后世大家都听过，甚至是花十几二十块就唾手可得的SD卡。
可这玩意的技术难题比之前的还要大。